數(shù)字式四探針測(cè)試儀/臺(tái)式四探針電阻率測(cè)試儀 型號(hào):DP-2258C

概述
DP-2258C型數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流兩探針法》、GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針法》并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
儀器成套組成：由主機(jī)、選配的四探針探頭、測(cè)試臺(tái)等分組成。
主機(jī)主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成。儀器所有參數(shù)設(shè)定、能轉(zhuǎn)換采用數(shù)字化鍵盤輸入；具有零位、滿度自校能；電壓電流自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程；測(cè)試結(jié)果由數(shù)字表頭直接顯示。本測(cè)試儀特贈(zèng)設(shè)測(cè)試結(jié)果分類能，zui大分類10類。
探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭，以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有形鍍金銅合金探針探頭，可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具，還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻行測(cè)量。配探頭，也可測(cè)試電池片等箔上涂層電阻率方阻。
測(cè)試臺(tái)選配：般四探針法測(cè)試電阻率/方阻配DP-T-A或DP-T-B或DP-T-C或DP-T-F型測(cè)試臺(tái)。二探針法測(cè)試電阻率測(cè)試選DP-T-K型測(cè)試臺(tái)，也可選配DP-T-D型測(cè)試臺(tái)以測(cè)試半導(dǎo)體粉末電阻率，選配DP-T-G型測(cè)試臺(tái)測(cè)試橡塑材料電阻率。詳見《四探針儀器、探頭和測(cè)試臺(tái)的特點(diǎn)與選型參考》
儀器具有測(cè)量度、靈敏度、穩(wěn)定性好、化程度、結(jié)構(gòu)緊湊、使用簡(jiǎn)便等特點(diǎn)。
儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試。
三、基本參數(shù)
1. 測(cè)量范圍、分辨率（括號(hào)內(nèi)為可向下拓展1個(gè)數(shù)量級(jí)）
電    阻：10.0×10-6 ～ 200.0×103  Ω,    分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103  Ω
         （1.0×10-6 ～ 20.00×103  Ω,    分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω）
電 阻 率：10.0×10-6 ～ 200.0×103 Ω-cm   分辨率1.0×10-6 ～ 0.1×103  Ω-cm
         （1.0×10-6 ～ 20.00×103 Ω-cm  分辨率0.1×10-6 ～ 0.01×103 Ω-cm）
方塊電阻：50.0×10-6 ～ 900.0×103 Ω/□    分辨率5.0×10-6 ～ 0.5×103  Ω/□ 
         （5.0×10-6 ～ 100.0×103 Ω/□  分辨率0.5×10-6 ～ 0.1×103  Ω/□）
2. 材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)和測(cè)試方式?jīng)Q定)
直    徑： DP-T-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15～130mm，手持方式不限
DP-T-B/C/F方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm，手持方式不限.
長(zhǎng)()度：  測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,    手持方式不限.
測(cè)量方位:  軸向、徑向均可

量程劃分及誤差等級(jí)

作電源：220V±10％, f=50Hz±4％,P_W≤5W

5．外形尺寸： 245mm（長(zhǎng)）×220 mm（寬）×95mm（）

凈   重：≤1.5～2.0kg